半导体粉体 / 前驱体材料烧结容器： 用于高纯陶瓷粉体（如 AlN、SiC）、金属氧化物前驱体的高温煅烧、烧结。高纯度氧化铝坩埚杂质含量极低，不会污染粉体，同时能承受 1600℃以内的烧结温度。
实验室级半导体工艺测试： 用于热重分析（TGA）、差热分析（DTA）、马弗炉等设备中，对晶圆材料、光刻胶灰化、金属浆料进行高温测试与处理。化学惰性强，不与大多数半导体材料反应。
低熔点半导体金属熔炼： 可熔炼铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）等低熔点金属，作为半导体键合丝、焊料的熔炼容器。
外延 / 沉积工艺的辅助部件： MOCVD、PECVD 设备中的小型载具或衬底支撑件，用于非腐蚀性气氛下的低温辅助工艺，替代成本更高的石英或氮化硼部件。
