| 性能 | 单位 | 数值 |
|---|---|---|
| 密度 | g/cm³ | 1.95~2.20 |
| 抗张强度 | N/mm² | 102 |
| 抗弯强度 | N/mm² | 243 |
| 抗压强度 | N/mm² | 244 |
| 热导率 (200℃) | W/(m·K) | 60 (a) / 2.60 (c) |
| 热膨胀系数 (200℃) | K⁻¹ | 2.0×10⁻⁶ (a) |
| 介电常数 (室温) | / | 5.81 |
| 电阻率 | Ω·cm | 2.4×10¹⁵ |
半导体晶体生长:作为GaAs、InP、GaP等III-V族化合物半导体单晶生长的LEC、VGF、VB、MBE法坩埚,因其高纯度和化学惰性,避免熔体污染。
OLED蒸发源:用于OLED生产的蒸发坩埚及支撑架,提供高绝缘性、高温稳定性且不释放气体。
高温防护涂层:为石墨加热器、石墨坩埚等提供PBN涂层,防止高温挥发和污染。
特种冶金与熔炼:作为高纯度金属蒸发镀膜、熔炼用的坩埚,耐受多种熔融金属且不反应 。
电子器件与窗口:用于行波管(TWT)支撑杆、MOCVD绝缘板、红外/微波透射窗口,利用其绝缘性、透波性和高温稳定性。
航空航天与真空设备:作为高温真空炉绝缘部件、高温绝缘流体喷嘴等,满足极端环境下的隔热、绝缘和结构稳定性要求。
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