静电吸盘

通过 CVD 多层沉积工艺,在石墨基体上依次制备 PBN 绝缘层、热解石墨电路层与 PBN/C-PBN 电介质层,实现半导体工艺所需的吸附与导电一体化解决方案,是一种高纯度、耐高温、耐腐蚀的晶圆吸附和加热装置。

特性

集加热与吸附性能一体

纯度高达5N,杂质挥发量少

使用温度高,可达800℃或更高

可耐受更高电压

参数

性能 单位 热解氮化硼 氧化铝 氮化铝
密度 g/cm³ 2.1 3.8 3.2
纯度 % 99.999 99.8 98
弯曲强度 MPa 244 350 400
热导率 W/(m·K) 82 (a 向), 2.4 (c 向) 20 170
热膨胀系数 ×10⁻⁶ K⁻¹ 2.4 (a 向), 27 (c 向) 6.9 4.6
体积电阻率 Ω·cm 3.6×10¹⁶ 1×10¹⁴ 1.5×10¹³
击穿强度 kV/mm 200 25 20

应用领域解决方案

刻蚀工艺:通过静电吸附固定晶圆并精准控温,防止位移与翘曲,提升刻蚀均匀性与良率。

薄膜沉积(CVD/PVD):提供稳定支撑与均匀温控,减少温差影响,保证薄膜厚度与成分一致性。

离子注入工艺:采用静电吸附无接触固定晶圆并控温,减少污染与缺陷,提升器件性能与稳定性。

产品展示

技术支持:海诚互联