加热盘

氮化铝(AlN)陶瓷加热器是一种用于半导体材料加热的装置,具有优异的导热性和耐高温性能,可以在高温下稳定运行。氮化铝陶瓷加热器在半导体生产过程中具有重要作用,可用于晶体生长、退火、烘烤等工艺中。

特性

热导率高

温度均匀性好

等离子环境耐用性好

热膨胀系数接近与硅

参数

性能 单位 数值
热导率 W/(m·K) 170 – 230
最高工作温度 1600
温度均匀性 ±1
热膨胀系数 K⁻¹ 4.0×10⁻⁶ – 4.7×10⁻⁶

应用领域解决方案

CVD(化学气相沉积):作为晶圆加热承载部件,提供均匀稳定高温环境,保证薄膜沉积一致性,并防止污染与电气干扰。

PECVD(等离子增强化学气相沉积):用于晶圆精准控温与加热,提升等离子沉积均匀性,耐等离子腐蚀,避免局部过热。

ALD(原子层沉积):提供高精度温控与快速响应,满足原子级沉积一致性要求,避免前驱体污染反应。

光刻设备:作为晶圆温控平台,保障涂胶、曝光、显影过程稳定,减少图形偏差。

离子注入机:用于晶圆静电吸附与温度控制,防止注入热效应导致变形,同时避免污染。

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