纯度高,耐高温,机械强度高
热导率高、热膨胀系数低
高绝缘性,介电常数低
对熔融金属有优异的耐蚀性
| 性能 | 单位 | 数值 |
|---|---|---|
| 密度 | g/cm³ | 3.3 |
| 莫氏硬度 | – | 7 – 8 |
| 抗弯强度 | MPa | 300 – 400 |
| 熔点 | ℃ | >2200 (在 N₂中分解) |
| 最高使用温度 | ℃ | ~1350 (空气中) |
| 热导率 (20℃) | W/(m·K) | 140 – 180 |
| 热膨胀系数 | K⁻¹ | 4.5×10⁻⁶ – 5.0×10⁻⁶ |
| 体积电阻率 (20℃) | Ω·cm | >10¹⁶ |
| 介电强度 | kV/mm | 15 – 20 |
| 介电常数 (1MHz) | – | 8.5 – 9.0 |
高温坩埚:用于高温熔炼与烧结,耐高温耐腐蚀,防止材料污染。
IC 封装基板 / 散热片:用于芯片封装散热与布线,降低结温,提高稳定性与可靠性。
半导体设备部件:用于高温/真空设备中的结构与绝缘支撑,耐高温防污染。
大功率 LED 基板:用于 LED 散热与绝缘支撑,快速导热,降低光衰并提升寿命。
山东省禹城市南环东路88号