AIN-氮化铝

氮化铝凭借优异的导热性、电绝缘性,以及与硅相近的热膨胀系数等特性,被广泛应用于各类需要散热的零部件,以及半导体制造设备的相关部件中。

特性

纯度高,耐高温,机械强度高

热导率高、热膨胀系数低

高绝缘性,介电常数低

对熔融金属有优异的耐蚀性

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.3
莫氏硬度 7 – 8
抗弯强度 MPa 300 – 400
熔点 >2200 (在 N₂中分解)
最高使用温度 ~1350 (空气中)
热导率 (20℃) W/(m·K) 140 – 180
热膨胀系数 K⁻¹ 4.5×10⁻⁶ – 5.0×10⁻⁶
体积电阻率 (20℃) Ω·cm >10¹⁶
介电强度 kV/mm 15 – 20
介电常数 (1MHz) 8.5 – 9.0

应用领域解决方案

高温坩埚:用于高温熔炼与烧结,耐高温耐腐蚀,防止材料污染。

IC 封装基板 / 散热片:用于芯片封装散热与布线,降低结温,提高稳定性与可靠性。

半导体设备部件:用于高温/真空设备中的结构与绝缘支撑,耐高温防污染。

大功率 LED 基板:用于 LED 散热与绝缘支撑,快速导热,降低光衰并提升寿命。

产品展示

技术支持:海诚互联