CVD陶瓷

CVD陶瓷基于Chemical Vapor Deposition工艺制备,属于高纯特种陶瓷材料。在高温真空环境中,气态前驱体发生化学反应,材料从气相中逐步析出,并在基体表面层层沉积生长,冷却后即可得到高纯、高致密的CVD陶瓷材料。

特性

超高纯度:气相反应直接生成材料,外源杂质引入极低,纯净度高。

高致密性:逐层气相沉积成型,结构连续致密,几乎无孔隙缺陷。

优异耐腐蚀性:对酸碱及等离子体环境具备良好稳定性,抗化学侵蚀能力强。

耐高温稳定性:在高温环境下仍保持结构稳定,不易软化或性能衰减。

参数

应用领域解决方案

半导体工艺设备:用于CVD / PVD / Etching Systems 刻蚀等设备内部结构件,提供高纯、耐高温支撑与保护。

晶圆处理与承载系统:应用于晶圆承载、加热及固定部件,保证高温工况下的稳定性与均匀性。

等离子体环境部件:适用于等离子刻蚀及清洗设备中,具备优异抗腐蚀与抗等离子体侵蚀能力。

高温真空与反应腔系统:用于真空炉及高温反应腔内衬或结构件,保持长期稳定运行。

技术支持:海诚互联