纯度高： 99.999%，涂层表面致密，耐高温。
耐酸碱腐蚀：对氢 (H₂)、氨 (NH₃)、硅烷 (SiH₄) 及硅 (Si) 均有耐受性，能在恶劣的化学环境中提供可靠保护。
耐受等离子体蚀刻：化学品（例如，氯、溴），掺杂剂（例如，硼、磷、砷）和腐蚀性清洁剂。
抗热震性好，涂层结合力强。
| 性能 | 单位 | 数值 |
|---|---|---|
| 密度 | g/cm³ | 14.3 |
| 熔点 | ℃ | 3880 |
| 晶格常数 | Å | 4.454 |
| 硬度 | HK | 2000 |
| 热导率 (25℃) | W/(m·K) | 22–25 |
| 热导率 (100℃) | W/(m·K) | 15–18 |
| 热膨胀系数 | K⁻¹ | 6.29×10⁻⁶ |
| 弹性模量 | GPa | 291 |
| 电阻率 | Ω·cm | 1×10⁻⁵ |
PVT 法碳化硅单晶生长关键组件
GaN 晶圆托：承载、支撑和固定 GaN 晶圆，在 MOCVD/MBE 等外延生长、刻蚀、沉积工艺中作为晶圆的基座。
导流圆环：引导和控制腔体内的工艺气体 / 气流分布，优化气体流向，避免涡流或局部气流不均，保证工艺均匀性。
MOCVD 外延盘
碳化钽（TaC）加热器
山东省禹城市南环东路88号
