优异的耐高温性能（真空及惰性气氛下使用温度≥2000℃）
热导率高、热膨胀系数低
优异的抗热震性
高温下优异的电绝缘性
对熔融金属有良好的耐蚀性
易于机械加工，可定制不同形状和尺寸
| 性能 | 单位 | 六方氮化硼 (h-BN) | 立方氮化硼 (c-BN) |
|---|---|---|---|
| 晶体结构 | – | 六方层状结构 | 立方结构 (闪锌矿型) |
| 密度 | g/cm³ | 2.27 | 3.48 |
| 莫氏硬度 | – | 2 (润滑) | 仅次于钻石 |
| 抗弯强度 (h-BN 陶瓷) | MPa | 50 – 100 | – |
| 熔点 / 分解点 | ℃ | 在 N₂中 >3000℃ 分解 | >3000℃ |
| 最高使用温度 (空气) | ℃ | 900 – 1000 (氧化限) | ~1200 |
| 热导率 (20℃) | W/(m·K) | 15 – 30 (⊥c), 高达 60 (∥c) | 13 – 20 |
| 热膨胀系数 | K⁻¹ | 0.4×10⁻⁶ – 7.5×10⁻⁶ (各向异性) | 2.1×10⁻⁶ – 4.9×10⁻⁶ |
| 体积电阻率 (20℃) | Ω·cm | >10¹⁴ | >10¹⁴ |
| 介电强度 | kV/mm | 30 – 40 | – |
| 介电常数 (1MHz) | – | 3.5 – 5.3 (各向异性) | 4.5 – 7.1 |
半导体真空设备，可制作外延设备绝缘支撑件、隔热环、载盘及 PVD/CVD 绝缘屏蔽，也用于 GaAs、InP 单晶生长保温隔件与 OLED 蒸镀蒸发源绝缘隔热配件；同时适用于高温窑炉，可做 1600–1800℃真空气氛炉炉管、坩埚、舟皿；还可应用于电子散热和高压绝缘，用作 LED、充电桩等大功率器件导热绝缘垫片，高频 RF 设备高压绝缘、微波窗口结构件，以及锂电池烧结托盘、高温电解等新能源配件。
山东省禹城市南环东路88号
