应用：

外延生长：尤其适用于 SiC 等第三代半导体的外延层生长，在高温、氢气等氛围下，承载晶圆实现均匀的外延层沉积。
扩散工艺：承载晶圆进行杂质扩散，使杂质原子在高温下均匀进入晶圆内部，形成所需的电性能区域。
退火工艺：在高温下对晶圆进行热处理，消除晶圆内部应力、改善晶体结构，提升晶圆的电学性能和机械性能。
原子层沉积（ALD）：在高精度的薄膜沉积过程中，承载晶圆完成多层原子级薄膜的均匀生长。