SiC-CVD碳化硅

SiC 涂层为采用化学气相沉积工艺制备的薄层材料。相较于单晶硅,碳化硅击穿电场强度可达硅的 10 倍、禁带宽度为硅的 3 倍,兼具耐高温、耐化学腐蚀、高耐磨与优异导热性能

特性

良好的导热性
涂层厚度均匀、平整度高
耐腐蚀
热膨胀系数与石墨匹配性佳,结合力强

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.2
分解温度 2700
硬度 HK 2800
电阻率 Ω·m 0.2
抗弯强度 MPa 470
杨氏模量 GPa 460

应用领域解决方案

硅外延衬底:提供低缺陷、高导热支撑平台,保障外延层均匀生长并有效散热。

单晶硅制造设备部件:用于坩埚内衬、导流与保温结构,耐高温耐腐蚀,防止硅液污染。

MOCVD 衬底:用于 GaN 等外延生长基底,影响外延层质量与性能。

加热器部件:用于高温加热系统,提供均匀稳定热源。

散热片:用于快速导热散热,控制设备温度稳定。

抗氧化组件:用于高温氧化环境防护,减少部件氧化损耗。

产品展示

暂无产品

技术支持:海诚互联