化合物半导体单晶生长（如 SiC、GaN）: 作为 PVT 法、VGF 法长晶炉的核心加热元件，在 2000℃以上的超高温环境中提供稳定热源。

高温外延与 MOCVD 设备： 用于 LED 和功率半导体外延炉的加热模块，在 1000–1600℃的工艺中提供均匀、稳定的温度场。

特种材料烧结与真空热处理： 用于陶瓷、硬质合金、难熔金属的真空 / 惰性气氛烧结炉中，作为高温加热源，实现无氧化、无杂质污染的热处理过程。