高铁飞驰、电动车续航升级、5G信号满格、智能电网稳定运转······这些与现代生活紧密绑定的场景背后,

都有着第三代半导体的身影。

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体，凭借宽带隙、高临界击穿电场、高热导率等突出优势，在高温、

高频、高功率、抗辐射器件及蓝光LED领域，超越传统半导体，成为新一代科技产业的核心支撑。

然而，当前通过物理气相输运 (PVT) 生长单晶碳化硅的主流工艺虽具备生长速率快、成本可控等优势，

却面临着难以回避的痛点:随着晶体厚度增加,高温腐蚀与温度梯度差容易导致碳包裹物、微管位错等缺陷，

直接影响半导体器件的性能与稳定性，制约着第三代半导体产业的规模化升级。

对此，国晶新材给出了解决方案–通过化学气相沉积 (CVD) 工艺，在石墨基体表面沉积形成致密、

高结晶度、大晶粒TaC涂层，以材料创新破解工艺难题，为第三代半导体产业注入强劲动力!

作为第三代半导体生产的 “防护利器”，国晶新材的TaC涂层凭借多重性能，完美适配半导体制造的复杂场景:

超高温稳定:耐受温度>2200℃，在极端高温工程下依旧保持稳定性能，从容应对单晶生长的高温需求；

全维度耐腐:不仅抵御酸碱侵蚀，更能耐受H₂、NH₃、SiH₄、CH₄等关键反应气体及Si单质，杜绝腐蚀带来的产品缺陷；

强结合抗热震:与石墨基体结合力强劲，抗热震性能优异，长期使用不易出现涂层分层，大幅延长使用寿命。

国晶新材已构建起覆盖半导体生产关键环节的TaC涂层产品体系，包括蒸镀坩埚、PVT炉坩埚、三瓣导流环、导向环、

MOCVD行星式母盘/子盘、GaN/SiC外延盘、加热器、卡盘、板材、TaC涂层C/C复材等核心产品。无论是标准化量产需求，

还是特殊场景的定制化方案，均可通过来料加工、专属定制等服务模式，精准匹配客户的个性化需求。

国晶新材以CVD工艺为核心、TaC涂层为载体，直击第三代半导体制造的核心痛点，为高温、高频、高功率器件的升级

提供了可靠保障。未来，国晶新材将持续深耕半导体材料领域，以技术创新驱动产业升级，助力中国第三代半导体在全球赛

道上实现更高质量的发展!