高纯度与致密性：纯度高达 99.999% 以上，表面致密无孔隙，气密性优异，氦透过率低至 1×10⁻¹⁰cm³/s。
耐高温与热性能：耐高温达 2200℃，且强度随温度升高而增加，抗热震性极佳，热传导性能各向异性（a 方向 200℃时 60W/m・K，c 方向仅 2.60W/m・K）。
化学惰性：耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与绝大多数熔融金属、半导体材料不浸润、不反应。
| 性能 |
单位 |
数值 |
| 密度 |
g/cm³ |
1.95~2.20 |
| 抗张强度 |
N/mm² |
102 |
| 抗弯强度 |
N/mm² |
243 |
| 抗压强度 |
N/mm² |
244 |
| 热导率 (200℃) |
W/(m·K) |
60 (a) / 2.60 (c) |
| 热膨胀系数 (200℃) |
K⁻¹ |
2.0×10⁻⁶ (a) |
| 介电常数 (室温) |
/ |
5.81 |
| 电阻率 |
Ω·cm |
2.4×10¹⁵ |
半导体单晶生长：用于 VGF（垂直梯度凝固）、LEC（液封直拉）法生长 GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）等 III-V 族化合物单晶。PBN 坩埚的高纯度和抗高温变形特性保证了晶体的低缺陷和高纯度。
分子束外延（MBE）：作为 MBE 坩埚，用于蒸发铝（Al）、镓（Ga）等材料，制备超晶格、量子阱等高端外延片。其高纯度和不润湿性确保了薄膜材料的精确化学计量和高质量。
OLED 蒸镀与微电子：用于 OLED 蒸发源单元，耐高温、放气率极低，可实现均匀蒸镀，延长设备寿命并提升显示器件性能。
高温金属处理与冶金：用于熔融金属转移、特种冶金坩埚。其抗热震和耐腐蚀特性适合处理活性金属及合金。
