高纯度与致密性：纯度高达99.999%以上，表面致密无孔隙，气密性优异，氦透过率低至1×10-10cm³/s 。
耐高温与热性能： 耐高温达2200℃，且强度随温度升高而增加，抗热震性极佳，热传导性能各向异性（a方向200℃时60W/m·K，c方向仅2.60W/m·K）。
化学惰性：耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与绝大多数熔融金属、半导体材料不浸润、不反应。
电学与特殊性能：高电阻率（2.4×1015Ω·cm）、高介电强度（室温56 KV/mm）、低介电常数和介质损耗角正切，并具有良好的透微波和红外线性能 。
各向异性与机械性能：在力学、热学、电学性能上呈现显著各向异性；抗张强度102N/mm²，抗弯强度243N/mm²。
| 性能 | 单位 | 数值 | |
| 密度 | g/cm3 | 1.95-2.20 | |
| 抗张强度 | N/mm2 | 102 | |
| 抗弯强度 | N/mm2 | 243 | |
| 抗压强度 | N/mm2 | 244 | |
| 热导率 | (200℃) | W/m·k | 82（a） 2.60(c) |
| 热膨胀系数 | (200℃) | T.α/（1/K） | 2.0×10-6（a） |
| 介电常数（室温） | / | 5.81 | |
| 电阻率 | Ω·cm | 2.4×1015 | |
半导体晶体生长：作为GaAs、InP、GaP等III-V族化合物半导体单晶生长的LEC、VGF、VB、MBE法坩埚，因其高纯度和化学惰性，避免熔体污染。
OLED蒸发源：用于OLED生产的蒸发坩埚及支撑架，提供高绝缘性、高温稳定性且不释放气体。
高温防护涂层：为石墨加热器、石墨坩埚等提供PBN涂层，防止高温挥发和污染。
特种冶金与熔炼：作为高纯度金属蒸发镀膜、熔炼用的坩埚，耐受多种熔融金属且不反应 。
电子器件与窗口：用于行波管(TWT)支撑杆、MOCVD绝缘板、红外/微波透射窗口，利用其绝缘性、透波性和高温稳定性。
航空航天与真空设备：作为高温真空炉绝缘部件、高温绝缘流体喷嘴等，满足极端环境下的隔热、绝缘和结构稳定性要求。
山东省禹城市南环东路88号
