SiC-CVD碳化硅

SiC 涂层产品是一层薄层,使用化学气相沉积工艺应用于敏感器。碳化硅材料与硅相比具有多种优势,包括 10 倍的击穿电场强度和 3 倍的带隙,使材料具有耐高温和耐化学性、优异的耐磨性和导热性。

特性

良好的导热性
涂层厚度均匀、平整度高
耐腐蚀
热膨胀系数与石墨匹配性佳,结合力强

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.2
分解温度 2700
硬度 HK 2800
电阻率 Ω·m 0.2
抗弯强度 MPa 470
杨氏模量 GPa 460

应用领域解决方案

硅外延生长的衬底、单晶硅制造设备、MOCVD衬底、加热器、散热片、氧化抗性组件

产品展示

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