MBE坩埚

产品概述

MBE 坩埚(Molecular Beam Epitaxy Crucible)在分子束外延技术中主要用作束源坩埚,用于盛装蒸发元素和化合物。该技术是一种在超高真空条件下,通过将原子或分子束定向地喷射到衬底上,从而生长出高质量单晶薄膜的精确薄膜沉积技术。

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产品详情

应用:

束源承载与蒸发:盛装 Ga、As、In 等半导体原料,在超高真空下配合加热使原料蒸发,升华,形成定向原子,分子束。

保障薄膜成分精准:稳定承载高纯度原料,适配精准控温与束流调控,确保原子/分子束成分均匀,为高质量单晶薄膜生长奠基。

适配多元薄膜生长:可搭配多规格坩埚承载不同原料,实现多组分、多层异质结构薄膜生长,满足半导体器件复杂结构需求。

兼容超高真空工况:高纯度材质在超高真空与高温下性质稳定,不释放杂质,保障生长环境洁净。

致力于成为
CVD及其相关技术的引领者
技术支持:海诚互联