Al₂O₃-氧化铝

半导体制造专用高纯度氧化铝(Al₂O₃)精密陶瓷部件,采用高纯原料与先进陶瓷工艺制备,满足晶圆制程严苛的洁净度、高绝缘、耐高温、耐等离子体腐蚀要求。

特性

纯度高

高温绝缘性好

耐等离子体腐蚀

耐高温性好

抗热震性好

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.6 – 3.9
莫氏硬度 9
抗弯强度 MPa 300 – 400
压缩强度 MPa 2000 – 3000
熔点 ~2050
最高使用温度 1500 – 1750
热导率 (20℃) W/(m·K) 18 – 36
热膨胀系数 K⁻¹ 7.0×10⁻⁶ – 8.0×10⁻⁶
体积电阻率 (20℃) Ω·cm >10¹⁴
介电强度 kV/mm 10 – 35
介电常数 (1MHz) 9 – 10

应用领域解决方案

高温坩埚 / 烧结容器:用于半导体材料烧结与熔炼,耐高温、耐腐蚀,减少污染,保障材料纯度。

半导体 / LED 封装基板:为芯片提供高绝缘、高导热支撑,快速散热,提升器件稳定性与寿命。

半导体设备结构件 / 夹具:用于真空及高温设备中的支撑与定位,耐高温、耐等离子腐蚀,保证长期稳定性。

真空 / 高温炉用绝缘件:用于工艺炉中的电气绝缘,耐高温、抗老化,保障设备运行安全。

晶圆承载 / 加工治具:用于晶圆加工与转移过程中的承载定位,减少磨损与污染,提升加工良率。

技术支持:海诚互联