Al₂O₃-氧化铝

半导体制造专用高纯度氧化铝(Al₂O₃)精密陶瓷部件,采用高纯原料与先进陶瓷工艺制备,满足晶圆制程严苛的洁净度、高绝缘、耐高温、耐等离子体腐蚀要求。

特性

纯度高

高温绝缘性好

耐等离子体腐蚀

耐高温性好

抗热震性好

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.6 – 3.9
莫氏硬度 9
抗弯强度 MPa 300 – 400
压缩强度 MPa 2000 – 3000
熔点 ~2050
最高使用温度 1500 – 1750
热导率 (20℃) W/(m·K) 18 – 36
热膨胀系数 K⁻¹ 7.0×10⁻⁶ – 8.0×10⁻⁶
体积电阻率 (20℃) Ω·cm >10¹⁴
介电强度 kV/mm 10 – 35
介电常数 (1MHz) 9 – 10

应用领域解决方案

用于晶圆制造设备中作为耐高温、耐等离子体腐蚀的电绝缘结构与腔体保护组件。

致力于成为
CVD及其相关技术的引领者
技术支持:海诚互联