碳化钽涂层石墨坩埚 (TaC Coated Graphite Crucible) 以高纯石墨为基体，表面通过气相沉积形成碳化钽（TaC）涂层的坩埚。既保留石墨基体的高导热性与耐高温性，又依托碳化钽涂层实现高硬度、强化学惰性、抗侵蚀性，可耐受 2000℃以上高温，能避免石墨基体与物料反应导致的污染，适配熔融金属熔炼、高温合成等严苛工况。
分享到
化合物半导体单晶生长（如碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）：作为高温长晶炉（如 PVT 法、VGF 法）的核心容器，在超过 2000℃的超高温环境中，盛放高纯硅、碳或金属源料，生长高质量半导体单晶。
山东省禹城市南环东路88号
